보고서 설명

MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한 후
Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 ‘Photo lithography’를 실시하며 FE-SEM을 이용하여
PR inspection을 측정한다. 이번 실험에서 PR두께는 1~2micro meter로, Developing time은
90sec로 고정하며 Exposure time을 2, 5 10sec로 변화를 주어 노광 시간을 조정함에 따라
PR공정 결과에 어떤 영향을 주는지 확인하고자 한다.

본문일부 및 목차

나. 실험 준비물
PR coater, Hot plate, PR developer, Stripping chemical, FE-SEM, 광학현미경,
Si wafer 시료

다. 실험 과정
1) Cleaning 과정을 마친 시료( /Si(001))를 200℃에서 10여 분간 dehydration 시킨다.
2) 시료를 HMDS라는 접착력을 증진시키는 물질을 사용하여 증기에 10여 분간
노출시킨다.
3) 시료 위에 감광제를 뿌린 후 고속 회전하여 원하는 두께로 코팅한다.
(이때 감광제의 두께는 회전속도의 제곱근에 반비례한다.)
4) 감광제의 용제를 제거하고 약 100℃의 핫플레이트에서 공기나 질소 가스 분위기에서 5~10분간 soft baking을 한다.
5) 수 분간 시료를 대기 중에 놔둬 relaxation 시킨다.
6) 포토마스크(한쪽 면이 감광 유제나 금속막으로 패턴이 되어 있는 사각형의 유리판)와
시료를 25~125m 정도 공간을 둔 후 2초 간 노광한다.
7) 노광이 끝난 후 시료를 TMAH 용액에 1분 30초 간 담가서 현상한다.
8) Photo lithography 공정이 끝난 시료는 광학현미경을 통하여 PR 두께 변화를
측정한다.
9) 노광시간을 5초, 10초로 하여 위의 실험을 반복한다.

※ 기본적인 포토리소그래피 공정과 달리 짧은 시간동안 세 가지 변수에 대한 실험을 모두 수행해야하는 우리 실험에서는 노출 후 굽기와 강하게 굽기 과정을 생략하고 약하게 굽기 만 실시한다.
3. 결과 및 고찰

연관검색어

#반도체공정 실험

구매평가

보상규정 및 환불정책

· 해피레포트는 다운로드 받은 파일에 문제가 있을
  경우(손상된 파일/설명과 다른자료/중복자료 등)
  1주일이내 환불요청 시 환불(재충전) 해드립니다.
  (단, 단순 변심 및 실수로 인한 환불은 되지 않습
  니다.)

· 파일이 열리지 않거나 브라우저 오류로 인해 다운
  이 되지 않으면 고객센터로 문의바랍니다.

· 다운로드 받은 파일은 참고자료로 이용하셔야 하
  며,자료의 활용에 대한 모든 책임은 다운로드 받은
  회원님에게 있습니다.

저작권안내