보고서 설명

트랜지스터의 구조
기본적인 트랜지스터의 동작
트랜지스터 특성과 파라미터

본문일부 및 목차

바이폴라 접합 트랜지스터
BJT(Bipolar Junction Transistor)
에피택셜 플래너(epitaxial planar) 구조
두 개의 pn 접합으로 나누어지는 도핑된 세 개의 반도체 영역으로 구성
이미터(emitter), 베이스(base), 컬렉터(collector)

트랜지스터의 동작
증폭기(amplifier)로 동작시키기 위해서는 적절한 바이어스(bias) 배열이 필요함
Base-Emitter(BE) 접합은 순방향으로 바이어스 시킴
Base-Collector(BC) 접합은 역방향으로 바이어스 시킴

트랜지스터 전류
이미터에서 흐르는 전류는 컬렉터와 베이스에서 흐르는 전류의 합과 같음
키르히호프의 전류법칙 (KCL)

직류베타(βDC)
직류 컬렉터 전류(IC)와 직류 베이스 전류(IB)의 비
트랜지스터의 직류 전류 이득(gain)이라 함

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