보고서 설명

위의 그림에서 전하 운반자는 n-type 즉, 전자(electron)이 되고, 전하운반자는 n-type 반도체를 통해 흐르므로 n-channel이라 한다. 또다른 형태의 JFET는 p-channel이 있을 수 있다.
위의 그림에서 검은 부분은 금속전극(electrode)이며 JFET에서 각각의 이름은 BJT(Bipolar Junction Transistor)에 다음과 같이 대응된다 ;

본문일부 및 목차

운반자가 되고, 가 커지면 Gate가 다른 전극에 비해 더 음이 되기 때문에 공핍층의 두께가 두꺼워지게 된다. 전하운반자가 흐르는 경로를 channel이라 부르는데 가 커질수록 channel은 좁아지게 된다.


위의 그림에서 Gate와 Source사이에는 역방향 bias가 걸리기 때문에 Gate 전류 는 극히 작다. 따라서 Gate 저항 는

이 된다. FET는 BJT에 비해 입력 임피던스(Input Impedance)가 매우크다.
위의 회로에서 볼 수 있듯이 전압으로 Drain에서 Source로 흐르는 전류 를 제어할 수 있어서 FET는 전압제어소차(Voltage-controlled Device)이다. 이에 반해 BJT는 전류로 제어되는 전류제어소자(Current-controlled Device)이다.
FET는 high input impedance이기 때문에 전류통제는 불가능하여 큰전압을 가해줘야 한다. 따라서 전압이득이 작아지는 단점이 있다. 결국

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