보고서 설명

박막이란 전기적,결정적 특성이 양 표면에 의해 지배되는 경우이고,그 두께는 단원자층,단분자층의 것에서부터 약5μm까지를 기준으로 두나,경우에 따라서는 그 한계가 달라질 수 있다.

본문일부 및 목차

박막의 제조방법
박막의 제조방법에는 음극 전해 성막법, 무전극 또는 무전기 성막법, 양극 산화법, CVD법 , 액상 에피탁시법, Langmuir-Blodgett 막 형성법, 흡착 방법이 있다

1-1)음극 전해 성막법
성막될 물질이 보통 금속일 경우,이 물질이 이온의 형태로 녹아 있거나,어떤 액체 속에 섞여 있는 것을 사용한다. 그 용액이나,액체 속에 두 전극인 +와 -를 삽입하고, 전압을 걸어 주면 금속성인 +이온이 음극으로 끌려오고,이 금속이온이 음극 표면에 모여서 막을 형성되는 방법이다.

1-2)무전기 또는 무전기 성막법
전기화학적 과정에 의해 막이 형성되는 방법.즉,외부로부터 전장을 가하지 않아도 막이 형성되는 방법이다.

1-3)양극 산화법
산소를 갖고 있는 전해액을 사용해서 금속을 산화시키는 방법이다.

1-4)액상 에피탁시법
Sn ,In ,Pb ,BI ,Ga과 같은 녹는 온도가 낮은 금속 내에 용해된 반도체 물질의 결정화에 기초를 둔 반도체 에피막을 증착시키는 방법이다.

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