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실험1. JFET을 이용한 증폭회로 구성 (R1-27kΩ, R2-5.1k...

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실험1. JFET을 이용한 증폭회로 구성 (R1-27kΩ, R2-5.1kΩ) =1.013 mA =0.799 mA =0.808 mA 실험에 대한 고찰 이번 실험은 JFET의 동작특성과 증폭기 응용회로에 관한 실험이었다. 증폭 회로는 JFET의 Gate에 순 바이어스를 걸어주어 Channel이 작아지는 효과를 만들어 Drain에서 Source로 흐를 때 저항 값을 작게 만들어 전압을 높여주는 역할을 한다. 공통 소스 증폭기는 BJT의 공통 에미터 증폭기와 같은 구조이다. (소자만 JFET로 바뀌었을 뿐) 게이트와 소스 사이의 순방향에 전압이 강하게 걸릴 경우 위에서 살펴본 것과 같이 공핍층이 두꺼워 지면서 포화 영역에 다다르게 되고 이에 따라 핀치 현상이 일어나서 n 과 n층이 붙을 수가 있다. p층이 매우 얇기 때문이다. 결과보고서 2008 일반전자 공학 실험 -JFET 특성- 강남준 조교님 반 ...

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