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Ⅰ.제목―랜덤 억세스 메모리 (RAM)-스크래취 패드 메모리 Ⅱ.목적 1...

본문일부 및 목차

Ⅰ.제목―랜덤 억세스 메모리 (RAM)-스크래취 패드 메모리 Ⅱ.목적ƒ.반도체 메모리의 기본원리에 대해 공부한다.„.TTL MSI 64비트 메모리셀의 동작에 대해 공부한다. Ⅲ.실험기기 및 부품 ▶직류 전원공급기 +5V,100㎃이상 ▶CRO dc 결합된 입력과 전압교정된것 ▶스위치 뱅크 뱅크당 10개의 스위치 ▶TTL-IC 7400 4개의 2입력 NAND게이트 ▶TTL-IC 7403 4개의 2입력 NAND게이트,오픈 콜렉터 ▶TTL-IC 7489 64비트 RAM(오픈 콜렉터 출력) ▶저항 680Ω(±10%) 4개 ▶저항 5.6㏀(±10%) 4개 ▶LED 적색 4개 Ⅳ.기본이론 임의 정보를 써넣기와 읽어내기를 할 수 있는 랜덤 액세스형의 기억장치를 RAM(radom access memory) 이라고 한다. 여기서는 FF이나 게이트로 만든 형태의 RAM의 내부구조를 도표로 제시한다. 예시된 것 중의 하나로 메모리 장치를 나타내려면 메모리 장치의 용량을 제한시켜야 하므로 여기서는 각 워드가 3개의 비트로 구성된 4개의 워드를 가지고 있는 메모리 장치를 사용하여 설명한다.상업용 RAM은 각 워드가 8비트에서 64비트로 된 수천 개의 워드용량을 가지고 있는데 여기에 있는 메모리 장치의 모형을 확장시키면 용량이 큰 메모리 장치의 설계도가 될 수 있다. 【IC메모리(integrated circuit memory)】 각 워드가 n비트로 되어있는 m개의 워드로 구성된 RAM의 내부구조는 m×n개의 2진 저장 소자와 각 단어를 선택하는 데 필요한 번지용 논리회로로 구성되어있다. 그림 11-1에는 한 비트의 정보를 저장하는 2진 소자의 논리회로가 나타나 있는데 이 2진 소자는 메모리장치를 구성하는 데 기본 단위가 된다. 이 그림에서 2진 소자는 1개의 플립플롭과 몇개의 게이트로 나타나 있지만 실제로는 입력이 여러개인 2개의 트랜지스터로 구성되어 있다.여기서 2진 소자는 IC칩에서 사용가능한 작은 공간에다 가능한 한 많은 수를...

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