보고서 설명

전계효과 트랜지스터 fet 전자 전하 / 전계효과 트랜지스터, 김보연 편 지음, 한진

트랜지스터, 단우일부 지음, GB기획센터 옮김, 한진 ()

본문일부 및 목차

1) 접합형 FET (Junction FET(JFET))
2) Biased JFET
3) Drain Curve
4) 전달 콘덕턴스곡선(transconductance curve) 그림13-2는 정상적으로 bias된 JFET를 나타낸다. BJT에서는 베이스-에미터간에는 순방향으로 bias 되는데 반하여 JFET에서는 반드시 역방향으로 bias 된다는 사실이 다르다.
그림13-2에서 Gate는 Source와 Drain에 대해 역방향으로 bias되기 때문에 n-type 반도체의 전하운반자는 Gate에 대해 먼쪽으로 이동하게 된다. 그래서 p-type과 n-type 사이에는 극성을 띄지 않는 층(layer)이 존재하게 되는데 이 층을 공핍층(Depletion Layer)이라 부른다.
또한 아래 그림에서 전하운반자의 흐름은 n-type 반도체 내에서만 가능하기 때문에 전자가 전하운반자가 되고, 가 커지면 Gate가 다른 전극에 비해 더 음이 되기 때문에 공핍층의 두께가 두꺼워지게 된다. 전하운반자가 흐르는 경로를 channel이라 부르는데 가 커질수록 channel은 좁아지게 된다.

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