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공학,기술계열

전기전자회로 실험 - BJT의 단자 특성과 바이어싱 결과

전기전자회로 실험 - BJT의 단자.pptx

등록인leewk2547

등록/수정일13.11.29 / 13.11.29

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보고서 설명

실험 목적

예비 지식

준비

기기 및 부품

실험 과정
PSPICE 실험 결과

고찰

결론 및 오차

본문일부 및 목차

활성 모드에서 동작하는 바이폴라 접합 트랜지스터(BJT)의 단자 특성을 실험을 통해 이해한다.

BJT를 활성 모드에서 안정하게 동작시키기 위한 바이어싱(biasing) 회로를 실험을 통해 이해한다.

트랜지스터는 세 개의 반도체영역, 즉 emitter영역, base영역,collector영역으로 구성되며 이와 같은 트랜지스터를 우리는 npn형과 pnp형이라 부른다.
● npn형
오른쪽은 npn형 트랜지스터
의 간략화된 구조이다.
그림을 보면 트랜지스터는 두
개의 pn접합, 즉 이미터-베이
스 접합(EBJ)과 컬렉터-베이스
접합(CBJ)으로 구성된다는 것
을 알 수 있다.

● pnp형
오른쪽은 pnp형 트랜지스터의 간략화된 구조이다.
npn형 구조와 같은 이미터-베이스접합과 컬렉터-베이스접합으로 구성된다는 것을 알 수 있다.

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