보고서 설명

진성반도체 다이오드 도핑 감산회로 바이어스 / ()

본문일부 및 목차

■ 진성 반도체 , 불순물 반도체
■ 공핍층(Depletion layer)과 전위장벽(barrier potential)
■ 다이오드(Diode) : di(둘) ＋ ode(전극)
■ 순방향 바이어스 (Forward bias)
■ 역방향 바이어스 (Backward bias)
■ 다이오드 순방향 특성 실험
■ 다이오드의 역방향 특성 실험
■ 제너 다이오드 (Zener Diode)
■ 제너 다이오드를 활용한 회로
■ 반파정류
■ 전파정류
■ 가산 증폭기 (Summing amplifier)
■ 차동 입력형 감산회로

■ 진성 반도체 , 불순물 반도체
진성 반도체 : 불순물이 전혀 들어 있지 않은 순수한 반도체
불순물 반도체 : N형 반도체 , P형 반도체

¤ 도핑(Doping) : 반도체에 불순물을 첨가하는 것 ¤
◇ N형 반도체 : 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)의 순수한 단결정에 원자가가 5가인 불순물 인(P), 비소(As),안티몬(Sb) 등을 넣은 반도체. 이 N형 반도체에서는 전자가 다수운반자(majority carrier)이며 정공이 소수운반자(minority carrier)이다.
그리고 5가의 불순물 원소를 도우너(donor)라 하는데, 이는 전자를 준다는 의미이다.

◇ P형 반도체 : 실리콘(Si)이나 게르마늄(Ge)의 순수한 단결정에 원자가가 3가인 불순물 붕소(B), 갈륨(Ga) 등을 넣은 반도체. 이 P형 반도체에서는 정공이 다수 운반자(majority carrier)이며 전자가 소수운반자(minority carrier)이다.
그리고 3가의 원소를 억셉터(acceptor)라 하는데, 이는 전자를 받아들일 수 있다는 의미이다.

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